台积电2nm制程将于2025年量产

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随着近日最新出产的高性能芯片大量使用4nm工艺，不少厂商的3nm制程工艺的产品也被提上日程，正式进入到了测试阶段，也预计将在2023年年末就会看到3nm制程的产品面向市场。

       就在近日，据相关媒体报道，晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产，并且就现在的进度来看，有望领先其竞争对手三星和英特尔。

       据报道可知，台积电先进制程进展顺利，3nm将在今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm量产一年后量产，即2023年量产，2nm预计于2025年量产。

       台积电2nm首次采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功耗下频率可提升10%至15%；在相同频率下，功耗降低25%至30%。

       台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调，台积电2nm将会是密度最优、效能最好的技术，并且市场也看好，台积电2nm进度将领先对手三星及英特尔。

       据悉，此前消息称，虽然在3nm世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以相关人士预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生产2nm芯片。

       前段时间，三星公布了自家的3nm制程工艺已经达到了可以批量生产的标准，因为三星工艺在骁龙888和骁龙8Gen1两款芯片上的表现并不尽如人意，所以仍有不少相关机构认为台积电的3nm会优于三星工艺，但目前仍处在相关芯片工艺参数爆料阶段，并不能说明最后使用相关工艺的芯片性能有差别。

       除台积电和三星外，英特尔也在这两年持续在芯片制造方向持续发力，目前虽然还在使用7nm技术，但据相关消息，英特尔已经在多处建立芯片中心，同样也被爆料将于2025年发布2nm工艺。

       作为芯片制造领域目前的极限，2nm工艺可以带来更强的性能和更好的能耗比表现，感兴趣的消费者可以对相关技术工艺报道关注。

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